- 사상 최대 규모 주주환원 발표 및 15조원 자사주 매입 개시
삼성전자는 2026년 8월 21일 이사회를 열고 2026년 연간 90조~110조원 규모의 주주환원 시행방안을 의결해 공시했다. 이는 2020년에 기록했던 기존 최대 환원 규모(20조3000억원)의 약 5배에 달하는 수준이다. 2024~2026년 3개년 주주환원 정책(잉여현금흐름의 50% 환원)에 따라 올해 환원액을 포함한 3개년 총 환원 규모는 120조~140조원에 이를 것으로 예상됐다.
회사는 3분기 중 약 30조원 규모(정규 분기배당 약 2조4500억원 및 현금 특별배당 약 27조5500억원)의 현금배당을 집행할 예정이며, 오는 10월 말 이사회에서 구체적인 내용을 확정하기로 했다. 나머지 잔여 재원(약 60조~80조원)에 대해서는 2026년 연간 실적이 확정되는 2027년 1월 이사회에서 현금배당 및 자사주 매입·소각 등 세부 방식을 결정할 방침이다. 이와 별도로 삼성전자는 노사 임금협상에 따른 특별경영성과급 지급 등 임직원 보상을 목적으로 8월 24일부터 11월 21일까지 약 15조원 규모의 자사주 매입에 착수했다(일일 최대 매수 주문 한도 732만1653주).
이번 결정에 앞서 삼성전자는 2분기 사상 최대 실적(매출 171조5000억원, 영업이익 89조4924억원)을 기록한 직후 국내외 기관투자자 대상 기업설명회(NDR)와 컨퍼런스콜을 통해 대규모 환원 계획을 시사해왔다. 시장에서는 경쟁사인 SK하이닉스가 8월 19일 40조원 규모의 자사주 매입·소각과 FCF 50% 이상 환원 방침을 발표한 흐름과 맞물려 국내 반도체 대형주의 자본배치 정책 전환에 주목했다.
- 3D 적층 ‘zHBM’ 및 10세대 V낸드 등 차세대 메모리 기술 공개
삼성전자는 8월 4일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 메모리 행사 ‘FMS 2026’ 기조발표를 통해 차세대 3차원 아키텍처 ‘zHBM’을 공개했다.
zHBM은 기존 2.5D 인터포저 기반의 수평 연결 방식에서 벗어나 연산 칩(xPU) 상단에 HBM을 수직으로 직접 적층하는 구조다. 삼성전자는 zHBM이 HBM5 대비 GPU당 성능을 최대 8배 향상시키고 전력 대비 성능도 3배 개선하며, 열 저항 수치를 10~25% 수준으로 낮춰 전체 발열 저항을 절반 이상 떨어뜨릴 수 있다고 설명했다. 개발 중인 HBM5에는 HBM 사상 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노 파운드리 공정과 코어 다이 측면 열 방출 기술을 적용해 발열 제어 수준을 20% 이상 향상시켰다고 밝혔다. 월말에는 미래에셋증권이 삼성전자가 ‘핫칩스 2026’에서 공개한 커스텀 HBM 3단계 로드맵과 관련해 베이스 다이 4나노 적용 및 발열 최대 35% 저감 기술, 인터포저 없는 zHBM 구조에 따른 전력 사용량 약 70% 절감 가능성을 소개했다.
아울러 FMS 2026 현장에서 삼성전자는 온디바이스 AI 환경에 최적화된 낸드 솔루션 ‘z낸드-O(zNAND-O)’와 업계 최초로 400단 이상을 수직 적층한 10세대 V낸드(‘V10 BV-낸드’)도 선보였다. z낸드-O는 1200억 개 파라미터 규모의 GPT 모델 시험 구동에서 기존 D램 서버와 동등한 초당 토큰 처리 속도를 구현하면서 비용은 6분의 1 수준으로 절감할 수 있는 솔루션으로 소개됐다.
- HBM4 양산 경쟁과 엔비디아 ‘그록 3’ 파운드리 양산 진입
삼성전자는 업계 최초로 양산에 들어간 HBM4(6세대) 공급을 본격화해 하반기 중 전체 D램 시장점유율 수준의 HBM 점유율을 확보하겠다는 목표를 제시했다. 2026년 1분기 기준 삼성전자의 전체 D램 점유율은 38%(1위)였으나 HBM 점유율은 21%에 머물렀다(SK하이닉스 58%). 삼성전자는 3분기 HBM4 매출이 전 분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 전망했으며, 5대 대형 데이터센터 운영사와 체결한 HBM 장기공급계약(LTA)을 바탕으로 엔비디아 외 AMD, 구글 등으로 고객 다변화를 추진하고 있다고 밝혔다. 또한 차세대 제품인 HBM4E(7세대) 샘플 공급도 진행했다.
파운드리 부문에서는 엔비디아가 인수한 AI 추론 팹리스 그록(Groq)의 ‘그록 3 LPX’ AI 추론 랙 대량 양산에 진입함에 따라 핵심 칩 위탁생산이 본격화됐다. 삼성전자 파운드리는 첨단 4나노 공정(SF4X)으로 그록 3 LPU를 양산하고 있으며, 초기 웨이퍼 투입량은 월 1만장 수준으로 추산됐다. 업계에서는 2027년 웨이퍼 투입량이 월 1만5000장 이상으로 확대될 것으로 전해졌으며, 차세대 LPU의 추가 수주 여부가 향후 관건으로 제시됐다. 패키지 기판은 삼성전기가 올 2분기부터 FC-BGA 공급량 1위 업체(퍼스트 벤더) 지위를 확보해 공급에 들어갔다.
- 거시경제 변동성·무역 정책 불확실성과 AI 펀더멘털의 교차
8월 중 삼성전자를 둘러싼 대외 환경은 거시경제 지표와 통상 정책 변수로 인해 높은 변동성을 나타냈다. 미국 연준 의장의 잭슨홀 미팅 발언에 따른 금리 부담, 미·이란 협상 불확실성에 따른 유가 상승(브렌트유 91달러 돌파), 미국 30년물 국채금리 급등(5.33% 기록) 등이 글로벌 기술주 전반의 변동성을 키웠다. 8월 마지막 주 외국인 투자자는 유가증권시장에서 8조원 이상 순매도하며 삼성전자와 SK하이닉스에 매도 물량을 집중했다.
통상 정책 측면에서는 미국 행정부가 수입 반도체, 서버, IT 기기에 단계적 추가 관세 부과를 검토하는 한편 외국 기업의 미국 내 반도체 투자 규모에 따라 관세를 면제하는 방안을 논의 중이라는 사실이 공개됐다.
반면 AI 산업의 기초 수요는 견조하게 유지됐다. 아마존, 구글, MS, 메타 등 4대 하이퍼스케일러는 연간 설비투자(CAPEX) 계획을 최대 7250억~7600억달러 수준으로 증액했다. 엔비디아는 회계연도 2분기 매출 962억2000만달러(전년 대비 106% 증가)와 3분기 가이던스 1080억달러를 공시해 AI 인프라 수요를 확인시켰다. 이와 함께 8월 20일까지 집계된 한국 반도체 일평균 수출액도 사상 최대치를 기록해 반도체 수출 호조가 확인됐다.
[Editor’s Comment | Perspective]
2026년 8월 삼성전자의 흐름은 ‘호실적을 바탕으로 한 사상 최대 주주환원 실행’과 ‘차세대 AI 메모리 아키텍처 및 첨단 파운드리 공정 가동’으로 요약된다.
회사는 분기 최대 실적 달성 직후 연간 최대 110조원에 달하는 주주환원과 15조원 규모의 임직원 보상용 자사주 매입 방침을 확정 공시했다. 이는 잉여현금흐름(FCF)에 연동된 기존 자본배치 정책을 성실히 이행하는 동시에 주주가치 제고를 추진하는 구체적 조치로 나타났다.
사업 측면에서는 HBM 시장 경쟁력 강화를 위한 세부 실행이 이어졌다. HBM4 공급 본격화와 5대 데이터센터 운영사와의 HBM 장기공급계약(LTA)을 통한 고객 다변화에 나서는 한편, 기술적으로는 zHBM 기술을 공개하고 HBM5의 2나노 GAA 공정 적용과 커스텀 HBM의 4나노 베이스 다이 관련 기술 방향을 제시하며 종합 반도체 기업으로서의 공정 역량을 강조했다. 파운드리 부문에서도 엔비디아 ‘그록 3 LPU’의 4나노 위탁생산 및 삼성전기의 기판 공급 연계를 통해 AI 가속기 생태계 내 실제 양산 레퍼런스를 확보했다.
종합하면, 거시경제 금리 변동성과 미국의 수입 관세 검토 등 대외 불확실성이 상존하는 가운데 삼성전자는 대규모 주주환원 집행과 AI 반도체 공급 및 첨단 파운드리 공정 확대를 동시에 추진하는 사업 국면을 보였다.
[What to Watch]
- 3분기 30조원 현금배당 및 추가 주주환원 세부안 확정 공시: 오는 10월 말 이사회에서 의결될 3분기 약 30조원 현금배당의 확정 내역과 10월 중 공개될 추가 환원 방식(자사주 소각 등), 그리고 2027년 1월 이사회에서 결정될 잔여 재원(약 60조~80조원)의 최종 집행 방안.
- HBM4 출하 확대 및 3분기 매출 3배 성장 달성 여부: 주요 고객사 대상 HBM4 출하 진행 상황과 회사가 제시한 3분기 HBM4 매출 전 분기 대비 3배 이상 확대 여부, 그리고 하반기 전체 HBM 시장점유율 추이.
- 파운드리 4나노 가동 및 차세대 수주 여부: 그록 3 LPU 월 1만장 양산 진행 상황과 2027년 웨이퍼 투입량 확대(월 1만5000장 이상) 여부, 그리고 차세대 LPU 추가 수주 달성 여부.
- 미국 수입 반도체 추가 관세 정책 및 면제 기준 구체화: 미국 행정부의 반도체·서버 대상 단계적 관세 부과 논의 진행 경과와 미국 내 반도체 투자 규모에 따른 관세 면제 기준의 확정 내용.
[면책 조항 및 출처 안내]
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