1. 321단 QLC 낸드 기반 cSSD 공급 개시
SK하이닉스는 4월 8일 자사 최초의 321단 QLC 낸드플래시 기반 소비자용 SSD(cSSD) ‘PQC21’ 공급을 시작했다고 밝혔다. 제품은 1TB와 2TB 두 가지 용량으로 구성되며, 4월부터 델 테크놀로지스에 본격 공급하기로 했다.
PQC21은 321단 적층 기술과 셀 하나에 4비트를 저장하는 QLC를 결합했으며, SLC 캐싱을 적용해 자주 사용하는 데이터의 읽기·쓰기 성능을 보완했다. SK하이닉스는 델 공급을 시작으로 글로벌 고객을 확대한다는 계획을 제시했다. 회사가 인용한 IDC 전망에서는 글로벌 cSSD 시장의 QLC 비중이 2025년 22%에서 2027년 61%까지 확대될 것으로 예상됐다.
2. 1c 공정 기반 SOCAMM2 192GB 본격 양산
4월 20일 SK하이닉스는 10나노급 6세대인 1c 공정 LPDDR5X를 적용한 192GB SOCAMM2의 본격 양산을 발표했다. 해당 제품은 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’에 맞춰 설계된 AI 서버용 메모리 모듈이다.
회사 설명에 따르면 192GB SOCAMM2는 기존 RDIMM 대비 대역폭이 2배 이상이며 전력 효율은 75% 이상 개선됐다. 모바일 중심의 저전력 D램을 서버 환경에 적용한 제품으로, 대규모 AI 모델의 학습·추론 과정에서 발생하는 메모리 병목을 줄이는 데 초점을 맞췄다. SK하이닉스는 글로벌 클라우드서비스사업자 수요에 대응하기 위해 양산 체계를 조기에 안정화했다고 밝혔다.
3. 청주 P&T7 착공, 어드밴스드 패키징에 약 19조원 투자 계획
SK하이닉스는 4월 22일 청주 테크노폴리스 산업단지에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 전용 팹 ‘P&T7’ 착공식을 열었다. 같은 날 공정공시를 통해 공장 건설과 생산설비 구축에 약 19조원을 투자할 계획이라고 밝혔다. 투자금액과 세부 일정은 향후 회사 및 시장 상황에 따라 변동될 수 있는 계획 단계다.
P&T7은 약 23만㎡ 부지에 조성되며 WLP 공정 라인 약 6만㎡, 웨이퍼 테스트(WT) 공정 라인 약 9만㎡ 등 클린룸 면적만 약 15만㎡ 규모다. WT 라인은 2027년 10월, WLP 라인은 2028년 2월 완공을 목표로 제시했다. HBM을 비롯한 AI 메모리의 후공정 생산기반을 별도로 확충하는 투자다.
청주에는 기존 M11·M12·M15와 건설 중인 M15X에 이어 P&T7까지 들어서게 된다. SK하이닉스는 전공정 생산과 AI 메모리 패키징 역량을 청주 거점에서 함께 확대하는 구조를 구축하고 있다.
4. 1분기 매출 52.6조원·영업이익 37.6조원으로 사상 최대
4월 23일 발표된 2026년 1분기 잠정실적은 연결 K-IFRS 기준 매출 52조 5,763억원, 영업이익 37조 6,103억원, 순이익 40조 3,459억원이었다. 매출은 전분기 대비 60%, 전년 동기 대비 198% 증가했고, 영업이익은 각각 96%, 405% 늘었다. 영업이익률은 72%로 전분기보다 14%포인트, 전년 동기보다 30%포인트 상승했다.
분기 매출이 50조원을 넘어선 것은 처음이며 영업이익과 영업이익률도 창사 이래 최고치를 기록했다. 회사는 AI 인프라 투자 확대 속에서 HBM, 고용량 서버 D램 모듈, eSSD 등 고부가 제품 판매가 늘어난 점을 실적 배경으로 설명했다.
재무구조도 크게 변했다. 1분기 말 현금 및 현금성자산은 전분기보다 19조 4천억원 늘어난 54조 3천억원, 이자부채는 2조 9천억원 감소한 19조 3천억원이었다. 이에 따라 회사가 제시한 순현금 규모는 약 35조원으로 전환됐다.
SK하이닉스는 고객 수요가 공급능력을 웃도는 환경이라고 설명하면서 2026년 투자 규모를 전년보다 크게 확대하겠다고 밝혔다. 투자 초점은 M15X 생산 확대, 용인 반도체 클러스터 인프라 구축, EUV 등 핵심 장비 확보에 맞췄다.
5. HBM4부터 TSMC 첨단 로직 적용, 메모리·로직 통합 전략 구체화
4월 22일 미국에서 열린 TSMC Technology Symposium에서 SK하이닉스는 기존 표준형 HBM 공급을 넘어 고객 요구에 맞춘 커스텀 HBM과 메모리·로직 통합을 확대하겠다는 기술 방향을 제시했다. 회사는 HBM4부터 베이스 다이에 TSMC의 첨단 로직 공정을 적용하고, 향후 Custom HBM·HBF·3D Stacked DRAM on Logic 등으로 협력 영역을 넓힐 계획이라고 밝혔다.
행사에서는 TSMC 첨단 로직 기반 베이스 다이가 적용된 16단 48GB HBM4를 전시했다. 이와 함께 256GB 3DS RDIMM, 128GB MRDIMM, 1c 공정을 적용한 64GB RDIMM과 192GB SOCAMM2 등 서버·AI용 D램 제품군도 공개했다.
📝 Editor’s Comment | Perspective
4월 SK하이닉스의 변화는 실적 개선에만 머물지 않았다. 321단 QLC cSSD가 실제 고객 공급 단계로 넘어갔고, SOCAMM2 192GB도 양산에 들어가면서 HBM 외 AI D램·낸드 제품이 동시에 상용화 단계로 확대됐다. 같은 시기 HBM용 후공정 인프라인 P&T7에 약 19조원 규모의 투자계획을 제시하고 착공을 시작했다.
이 같은 제품·설비 확대를 뒷받침한 것은 1분기 사상 최대 실적과 순현금 전환이었다. 회사는 공급능력을 웃도는 고객 수요를 근거로 M15X, 용인 클러스터, EUV 등에 대한 투자를 늘리는 한편, HBM4부터 TSMC 로직 공정을 활용하고 커스텀 HBM으로 영역을 확장하는 기술 방향까지 구체화했다. 4월은 AI 메모리 수요가 실적, 제품 양산, 생산·패키징 투자와 차세대 HBM 구조 변화에 동시에 반영된 시기였다.
👀 What to Watch
- 약 19조원으로 제시된 P&T7 투자계획의 실제 집행 규모와 공사 진행, 2027년 10월 WT 라인 및 2028년 2월 WLP 라인의 완공 일정.
- 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급 확대와 엔비디아 Vera Rubin 및 글로벌 CSP 수요가 실제 출하로 이어지는 속도.
- 델 공급을 시작한 321단 QLC 기반 PQC21의 글로벌 고객 확대와 QLC cSSD 사업 규모 변화.
- M15X 생산 확대, 용인 클러스터 인프라 구축 및 EUV 장비 확보가 실제 생산능력 확대로 이어지는 과정.
- HBM4의 TSMC 첨단 로직 베이스 다이 적용과 Custom HBM·HBF·3D Stacked DRAM on Logic의 후속 개발 및 상용화 진행상황.
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